SPPテクノロジーズ

エッチング

RIE

酸化膜や化合物半導体など、加工が難しい材料に対応した高精度エッチング

Spica, Sirius, Sculptor

SPTのRIEシステム (Spica、Sirius、Sculptor) は、SiCやGaNといった化合物半導体や熱酸化膜など、加工が難しい材料に対しても高い均一性と精密なプロファイル制御を実現します。

高度なプラズマ制御技術と最適化されたチャンバ設計により、異方性・選択性・プロセス安定性に優れたエッチング性能を提供。研究開発から量産まで、幅広い用途に対応します。

アプリケーション:

  • TSV
  • パワーデバイス
  • LED
  • 光学デバイス
  • RFデバイス (高周波デバイス)

特長

精密なRIEでSPTが選ばれる理由

化合物半導体・酸化膜に最適化されたプラズマ制御

熱酸化膜やSiCなどの難加工材料に対し、安定したエッチングを実現します。

業界トップクラスのSiCエッチング速度

RF・パワーデバイス製造に最適な高スループットを実現します。

光学デバイス向けの高速エッチング性能

SiO₂やLiNbO₃といった硬質材料も、高速かつ高精度に加工できます。

有機膜の垂直異方性エッチング

ポリマー層などの有機膜を、精密に垂直方向へ加工可能です。

研究開発から量産まで対応可能な柔軟構成

ローダーロック型・クラスター型構成で、運用環境に合わせて導入できます。

性能

選択性、プロファイル制御、高精度加工で応えるSPTのRIE

SPTのRIE (Spica、Sirius、Sculptor) は、材料や用途を問わず優れたエッチング性能を発揮します。
有機膜の垂直エッチングから、SiCにおける精密なテーパープロファイル形成、光導波路用酸化膜の均一エッチングまで、次世代デバイスに求められる選択性・形状制御・表面品質を実現します。

有機膜の垂直エッチング

LiNbO₃の高速加工

SiCのテーパーエッチング
(提供:RFMD)

光導波路用の多層SiO₂エッチング

仕様

用途に応じて柔軟にカスタマイズ可能なRIE装置構成

SPTのRIE装置は、多様なアプリケーション要件に対応する柔軟な構成オプションをご用意しています。幅広いプロセスモジュールやプラットフォームの選択が可能で、研究開発から、量産現場まで、幅広い用途に対応します。

プロセスモジュール

  • Spica

  • Sirius

  • Sculptor

  • ウェーハサイズ (mm)

  • 200

  • 200

  • 200

  • プラットフォーム

  • APX, DPX, VPX, CPX

  • APX, DPX, VPX, CPX

  • APX, DPX, VPX, CPX

  • エッチングスピード

  • Medium

  • High

  • High

  • プロセスダメージ

  • Extremely Low

  • Low

  • Low

  • 基板

  • GaN, GaAs

  • SiO2, SiN, quartz, Glass

  • SiC

プラットフォーム

  • APX

  • DPX

  • VPX

  • CPX

  • 用途

  • R&D

  • Prototype

  • Small Volume

  • Mass Production

  • チャンバー数

  • 1

  • 2

  • 3

  • 4

  • 搬送ロボット

  • Atmospheric

  • Vacuum

  • Vacuum

  • ロボット・モーション

  • 2-Axis

  • 2-Axis

  • 3-Axis

  • 3-Axis

  • カセット数

  • 0

  • 2

  • 1

  • 2

その他の エッチング 製品

全ての製品に戻る

お問い合わせ

    弊社はウェブサイトからの営業目的のご提案には個別に対応しておりません。


      ※弊社はウェブサイトからの営業目的のご提案には個別に対応しておりません。