SPPテクノロジーズ

縦型熱処理装置

AVP Ace

150mm・200mmウェーハ対応の最新高速バッチプロセッサ

AVP Ace

AVP Aceは、拡散・酸化・LPCVD用途に向けて、優れたプロセス性能、低コストでの運用、そして高い柔軟性を実現するバッチ式熱処理炉です。

旧世代モジュールの性能をさらに高めるとともに、制御アーキテクチャも刷新。お客様固有のエンジニアリング要件に合わせてカスタマイズが可能です。

特長

精密な温度制御による安定した熱処理性能

AVP Aceは、100℃〜1250℃の広い温度領域で安定した熱処理を実現します。
高度なガス注入機構と低酸素ローダーロックにより、再現性の高いプロセス結果が得られます。

優れたプロセス

・ 100〜1250℃の精密な温度制御
・ 最適なガス分布を可能にする高性能インジェクター
・ 低酸素ローダーロックでウェーハ環境を一定に保ち、安定した再現性を実現
・ 認定済みのプロセスモジュールを採用

優れた所有コスト (CoO)

・ シングル/デュアルボート構成に対応
・ モジュール設計により迅速な導入と立ち上げが可能
・ デュアルボート構成により、搬送時間を短縮
・ インサイチュ洗浄機能により、最大50%の運用コスト削減
・ 急速加熱・冷却オプションにより、最大30%の処理時間短縮が可能

システム柔軟性

・ ハードウェア変更なしで、2種類のウェーハサイズに同時対応
・ 穿孔基板、接合基板、超薄型基板にも対応
・ 現場でのコンバージョンキットにより、用途変更も迅速に対応可能

対応可能プロセス

先端半導体用途に対応した各種熱処理プロセス

AVP Aceは、熱酸化、シリコンナイトライド形成、ALD (原子層堆積) など、先端半導体製造に向けた安定かつ再現性の高い処理を可能にします。

  • ウェット/ドライ熱酸化
  • ラジカル酸化
  • ストイキオメトリックおよび低ストレスSi₃N₄形成
  • TEOS、SiH₄、DCSを用いたSiO₂成膜
  • ドープ (P、As、B) およびアンドープポリシリコン
  • ALD (原子層堆積)
  • アニールおよびキュア (100℃〜1200℃超)
  • ONO構造、ALD Al₂O₃堆積

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