RVP Ace
RVP Aceは、200mmおよび300mmウェーハに対応する拡散・酸化・LPCVD用途向けのバッチ式熱処理装置です。
前世代のプロセスモジュールをさらに改良し、最新の制御構造を採用。お客様のエンジニアリング要件に合わせた柔軟な対応を実現します。
縦型熱処理装置
RVP Ace
200mm、および300mmウェーハ対応の最新型高速バッチ式プロセッサ
特長
温度制御と再現性に優れた、ハイパフォーマンス熱処理
RVP Aceは、100〜1200℃の広い温度域で精密な温度制御を実現し、高スループットな熱処理が可能です。
最適化されたガスフローと低酸素ローダーロックにより、200mm、300mmのどちらのウェーハでも、安定かつ再現性の高い結果を得ることができます。
プロセスに柔軟性を
・ ハードウェアの変更なしで、200mmと300mmウェーハを同時処理
・ 接合基板、薄型・湾曲基板に対応
・ 高度なクロスフローチャンバ設計によるプロセス制御性の向上
・ 実績あるプロセスモジュールを採用
優れた所有コスト (CoO)
・ モジュール設計による迅速な導入・立ち上げ
・ 自動化の信頼性を向上
・ キャリブレーション・定期保守の最小化
・ デュアルボート構成により、搬送時間を短縮
・ インサイチュ洗浄機能により、CoOを最大50%削減
・ 急速昇温・冷却オプションにより、プロセス時間を最大30%短縮
対応プロセス
先端半導体製造に対応する熱処理プロセス
RVP Aceは、熱酸化、SiN、ALDなどに対応し、200mm、300mmウェーハで安定かつ再現性の高いバッチ処理を実現します。
- ウェット／ドライ熱酸化
- ラジカル酸化
- シリコンナイトライド (ストイキオメトリック・低ストレス)
- TEOS、SiH₄、DCSを用いたSiO₂成膜
- ドープ (P、As、B) およびアンドープポリシリコン
- 原子層堆積 (ALD)
- アニールおよびキュア処理 (100℃〜1200℃超)
- ONO構造、ALD Al₂O₃成膜
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お客様のニーズに応える、SPTのソリューション。
