GaN-HEMT向け高周波デバイス製造ソリューション

GaN-HEMT：コンパクトな形状で高周波性能を発揮

GaNベースの高電子移動度トランジスタ (GaN-HEMT) は、5G通信、衛星システム、レーダー、高効率パワーアンプなど、次世代の高周波アプリケーションに欠かせない技術です。これらのデバイスは、従来のシリコン技術では実現できない高い周波数特性、電力密度、熱信頼性を提供します。

アジアをはじめとするグローバル成長市場で需要が加速する中、デバイスメーカーは量産環境での歩留まり、一貫性、デバイスの信頼性を確保するため、新たなプロセス課題に取り組む必要があります。

GaN-HEMT デバイスの製造には、複数の層や界面にわたる緻密なプロセス制御が求められます。主な課題は以下の通りです：

GaN および AlGaN 層のエッチング制御：

高い選択性とダメージの最小化が不可欠です。特に複合構造や薄膜を扱う際には、活性層への影響を避けることが重要となります。
2DEG チャネルの保護：

プラズマによるダメージやストレスは、GaN-HEMTの性能を支える二次元電子ガス (2DEG層) を劣化させる可能性があります。高いキャリア移動度を維持するには、低ダメージ処理が鍵となります。
表面保護と絶縁：

RF構造の分離や耐圧向上のため、均一で低ストレス、そして熱的に安定な薄膜の形成が必要です。
高速バックビアエッチング：

裏面メタライゼーションや放熱用ビアが必要なデバイスには、GaNなどの材料を高速かつ均一にエッチングする技術が不可欠です。

SPTは、GaNベースのHEMTデバイス特有の要求に応える、プラズマエッチングとPECVDシステムを提供します。精密さ、再現性、そしてダメージ低減に重点を置いた設計です。

GaN-HEMTの重要な製造プロセスを、SPTはどのようにサポートしているのでしょうか。
高周波デバイス集積に最適化されたソリューションをご覧ください。