LED製造向け高精度エッチング・成膜ソリューション

マイクロLEDとレーザーダイオード：次世代ディスプレイとオプティカル技術

マイクロLEDとGaN系レーザーデバイスは、高性能ディスプレイと光学システムの最前線と言っても過言ではありません。高輝度、優れた電力効率、形状の自由度を誇るこれらのデバイスは、AR/VRやスマートフォンから自動車、医療技術まで、幅広い分野で急速に成長しています。

デバイスの小型化が加速し、集積密度が高まる中、製造業者はGaNやサファイアなどの複雑な材料で高い歩留まり、精度、表面品質を実現するという新たな課題に直面しています。

高品質なマイクロLEDとGaNレーザーデバイスの製造工程において、克服すべき課題があります。

GaN層のエッチングは、その化学的安定性から精密な加工は困難です。側壁角度、選択性、表面ダメージの制御は、電気特性の維持と歩留まり削減に不可欠です。
エピタキシャル成長に使用されるサファイア基板は非常に硬く、亀裂や剥離を引き起こさずに加工する必要があります。滑らかな表面仕上げと低欠陥率が重要なポイントとなります。
絶縁膜や保護膜は、微細で高密度なパターン領域全体に均一な厚さで成膜する必要があり、高度なPECVDプロセス制御が求められます。
デバイスの微細化が進む中、製造工程で生じる表面の粗さやプラズマによるダメージは、性能の大幅な低下や早期故障につながる可能性があります。そのため、ダメージに敏感な構造への配慮が不可欠です。

SPTは、高精度LEDデバイスの製造過程のニーズに対応するドライエッチング技術と低温PECVD技術を提供しています。

LEDの製造プロセスにおいて、SPTは豊富なソリューションを提供しています。
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