SPPテクノロジーズ株式会社 (以下、SPT) は、株式会社エヌ・ティー・エスにより2025年10月に刊行された『3D半導体実装技術』の第2章 TSV (シリコン貫通電極) に、当社技術統括部長の山本 孝が『第1節 Si深掘り装置技術』を寄稿いたしました。

高性能・高集積化が進む半導体分野において、チップ間を垂直に接続するTSV技術は不可欠です。

当社が寄稿した『第1節 Si深掘り装置技術』では、このTSV形成の要素技術であるSi深掘りエッチングプロセスについて、理論と実践の相応から詳細に解説しています。

寄稿内容の主な構成

1. 1. はじめに
2. 2. シリコン深掘りプロセス
3. 3. シリコン深掘り装置の構成
4. 4. シリコン深掘りプロセスの実際
5. 5. TSV／Si 貫通電極チップ形成の実際
6. 6. まとめ