半导体刻蚀技术解析：DRIE、RIE 等

蚀刻概述

蚀刻是半导体制造中的关键工艺，用于精准去除材料，以在晶圆上形成所需图形与结构。
SPT专注于基于等离子体的干法蚀刻技术，涵盖Si DRIE、RIE与牺牲层蚀刻，专为高深宽比结构、低损伤与工艺均匀性而设计，广泛服务于MEMS与先进器件制造。

蚀刻是通过掩膜图案从半导体晶圆上选择性去除特定材料层的工艺。
主要分为两类：
– 湿法蚀刻：使用液态化学试剂
– 干法蚀刻：在真空中使用等离子体或反应性气体

SPT专注于干法蚀刻技术，提供适用于MEMS、TSV与化合物半导体等复杂结构的高精度、清洁的图形转移方案。

半导体蚀刻大致可分为湿法与干法两类，两者各有优劣。
以下表格总结了主要差异，随后我们将进一步介绍各自特性。

湿法蚀刻具备成本低、工艺简单的优点；
而干法蚀刻则提供先进半导体工艺所需的高精度与可控性。

晶圆被浸入化学溶液中以溶解目标材料。
尽管简便且经济，但其各向同性蚀刻特性使其不适合处理微缩或垂直结构。

干法蚀刻在真空腔体中使用等离子体或反应性气体，具有高度方向性。
可实现复杂图形的精确各向异性蚀刻，是MEMS、TSV与先进节点器件制造的关键技术。
SPT的干法蚀刻系统具备优异的均匀性、支持高深宽比结构，并有效控制工艺损伤。

SPT提供三种基于等离子体的干法蚀刻技术，分别针对深层结构、耐蚀材料与敏感结构释放等多种应用需求。

Si DRIE是一种用于硅材料的深蚀刻工艺，具备高深宽比与垂直侧壁特性。
SPT的Si DRIE系统采用Bosch工艺，具备高速、高精度与卓越均匀性，广泛用于MEMS与TSV制造。

RIE是一种具备方向性与精细控制的等离子蚀刻技术。
SPT的RIE系统适用于化合物半导体、二氧化硅与各类介质材料的高精度蚀刻，具备出色的均匀性与低损伤控制。
典型应用包括功率器件、光子结构与LED制造。

牺牲层蚀刻用于释放MEMS结构，通过干式蒸汽蚀刻方式去除埋藏的二氧化硅层，避免吸附与损伤。
SPT的无水HF蒸汽蚀刻系统可实现选择性去除牺牲层，保护铝等敏感材料，实现洁净、稳定的结构释放。

SPT的蚀刻设备在全球先进制造商中备受信赖，凭借其出色的精度、稳定性与适应多种应用的能力。
从深硅蚀刻到MEMS释放，我们的技术可实现高均匀性、低损伤与精确控制。
欢迎浏览SPT的Si DRIE、RIE与牺牲层蚀刻产品，找到最适合您需求的解决方案。