Cetus, Capella
SPT的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统可沉积高质量的硅氧化物与硅氮化物薄膜，具备低应力、优异的均匀性与可靠的覆盖能力。 适用于MEMS、光学镀膜与各种厚度的钝化膜沉积。
应用领域:
- MEMS器件
- 喷墨打印头
- 硅通孔（TSV）
- 功率器件
- LED器件
- 光学器件
- 射频器件（RF）
PECVD
PECVD
SPT的PECVD系统专为先进MEMS与半导体应用中的厚氧化层与低应力硅氮化物沉积而设计。
功能特性
为何选择SPT高精度PECVD系统
高速无裂纹氧化膜沉积
适用于MEMS与光波导应用的厚SiO₂膜沉积，确保无裂纹、无空隙。
优异的TSV结构覆盖能力
在窄且高深宽比TSV结构上沉积低温氧化膜，实现高一致性。
高质量低氢硅氮化物
适用于化合物半导体钝化，提供高密度、低氢含量的SiN膜。
适用于MEMS膜结构的低应力SiN
形成高均匀性、超低应力的硅氮化物薄膜，可适用于MEMS膜应用。
支持从研发到量产的可扩展平台
可提供真空LoadLock与集群式平台，满足多种产能需求。
性能表现
从厚氧化膜到低应力SiN——实现关键工艺目标
SPT的PECVD系统可实现MEMS与TSV结构所需的厚氧化膜、低应力SiN与一致性薄膜。
以稳定可靠的工艺控制，实现真正重要的性能结果。
TSV结构无空洞氧化填充
厚SiO₂膜沉积
低应力SiN沉积
（剑桥大学提供数据）
铝互连结构上等离子体SiO₂一致性覆盖
技术规格
灵活的PECVD系统架构：满足多样化器件与工艺需求
SPT的PECVD系统提供多种配置选项，满足不同膜厚、材料与器件的应用要求。 适用于研发与量产，支持多种应用中稳定的氧化物与氮化物沉积。
工艺模组
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Cetus
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Capella
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晶圆尺寸（mm）
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200
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200
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搬送系统
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APX, DPX, VPX, CPX
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APX, DPX, VPX, CPX
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工艺温度
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Moderate
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≤100°C
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沉积材料
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SiO2, SiN, SiON, SiC
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SiO2, SiN
搬送系统
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APX
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DPX
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VPX
-
CPX
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预期用途
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R&D
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Prototype
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Small Volume
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Mass Production
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腔体数量
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1
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2
-
3
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4
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搬送Robot
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—
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Atmospheric
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Vacuum
-
Vacuum
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Robot运输方式
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2-Axis
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2-Axis
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3-Axis
-
3-Axis
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Casseete数量
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0
-
2
-
1
-
2
