先进封装与
面向TSV集成的先进Si DRIE与PECVD解决方案
基于TSV的先进封装：实现高密度与高速性能的关键
三维（3D）封装技术，尤其是硅通孔（TSV），是提升先进半导体器件性能的核心手段。
从高性能计算（HPC）、移动设备，到新兴的人工智能与边缘计算应用，TSV支持更快的互连、更小的封装面积与更高的能效。
随着半导体产业向垂直集成持续演进，TSV结构的高精度、高速度与低损伤加工需求也日益迫切。
高密度封装中TSV制造的关键挑战
TSV结构对设备性能与工艺控制提出了独特要求，主要挑战包括：
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- 蚀刻速度与均匀性：
- TSV通常需要深度大、深宽比高的通孔结构，必须在保持高速的同时确保硅蚀刻的一致性。尤其在量产环境下，高产能与工艺稳定性至关重要。
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- 工艺路线选择（Bosch vs 非Bosch）：
- 两种方式皆可用于TSV制造，但Bosch工艺在侧壁保护与深结构控制方面更具优势，是许多应用中的优选方案。
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- 热预算限制：
- 后续的键合或金属化步骤对热预算要求严格，因此介电膜沉积需在低温下依然保持高膜质与稳定性。
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- 轮廓控制与残留最小化：
- 控制边缘锯齿、侧壁弯曲与聚合物残留至关重要，以保障电气性能与结构完整性。
SPT为TSV应用打造的蚀刻与沉积解决方案
SPT提供专为先进封装设计的Si DRIE与PECVD系统，满足高精度、高产能与高可靠性的制造需求。
1. 硅深反应离子蚀刻（Si DRIE）
- 采用Bosch工艺实现高速硅蚀刻
- 出色的侧壁保护，边缘锯齿最小化
- 稳定适用于深通孔与厚基板处理
2. 低温PECVD
- 在低热预算下沉积高质量SiO₂与SiNₓ薄膜
- 精准控制层间介电膜的厚度与应力
- 理想选择用于TSV绝缘与钝化步骤
与SPT共探TSV封装工艺流程
了解SPT如何支持基于TSV的先进封装制造中的各个关键阶段。
以下卡片链接至匹配的设备与解决方案：
1
Si深蚀刻／腔体形成
2
芯片对芯片接合层形成、SiCN膜与开口
3
TSV通孔形成／衬底层沉积
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