Spica, Sirius, Sculptor
SPT的反应性离子蚀刻 (RIE) 系统——Spica、Sirius 与 Sculptor——专为高精度、高均匀性地处理难加工材料 (如SiC、GaN、化合物半导体与热氧化膜) 而开发。
凭借先进的等离子体控制与优化的腔体结构，这些设备在各向异性、选择性与工艺稳定性方面表现出色，适用于研发与量产。
应用领域:
- 硅通孔 (TSV)
- 功率器件
- LED器件
- 光学器件
- 射频器件 (RF)
蚀刻技术
RIE
专为难蚀刻材料设计，如化合物半导体与热氧化膜。
功能特性
为何选择SPT高精度RIE系统
针对难加工材料优化的等离子体技术
为化合物半导体与氧化膜提供稳定蚀刻工艺。
业界领先的SiC蚀刻速率
用于射频与功率器件制制造的理想选择。
高效蚀刻光学器件材料
可快速精确蚀刻SiO₂与LiNbO₃等硬质材料。
高精度蚀刻有机薄膜
实现聚合物层的垂直各向异性蚀刻。
支持研发与量产的系统配置
可提供单腔真空LoadLock与集群式平台，满足不同产线需求。
性能表现
在材料选择性、轮廓控制与精密蚀刻方面的卓越表现
SPT的RIE平台——Spica、Sirius与Sculptor——在多种材料与应用中实现出色的蚀刻效果。
无论是有机薄膜的垂直蚀刻、SiC的精确锥形轮廓，还是光波导中的氧化膜均匀蚀刻，我们的系统均能提供出色的选择性、形貌控制与表面质量，满足下一代器件的关键要求。
有机薄膜的垂直蚀刻
LiNbO₃的高速蚀刻
SiC锥形蚀刻
(RFMD 提供)
光波导中多层SiO₂蚀刻
技术规格
灵活的RIE系统架构：根据工艺需求定制平台配置
SPT的RIE系统提供多种灵活配置选项，满足广泛应用需求。从MEMS研发中的有机膜蚀刻，到量产中的SiC或氧化膜高速蚀刻，均可选择合适的工艺模组与系统平台。
工艺模组
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Spica
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Sirius
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Sculptor
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晶圆尺寸（mm)
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200
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200
-
200
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平台类型
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APX, DPX, VPX, CPX
-
APX, DPX, VPX, CPX
-
APX, DPX, VPX, CPX
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蚀刻速率
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Medium
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High
-
High
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工艺损伤
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Extremely Low
-
Low
-
Low
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适用基材
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GaN, GaAs
-
SiO2, SiN, quartz, Glass
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SiC
搬送系统
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APX
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DPX
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VPX
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CPX
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预期用途
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R&D
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Prototype
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Small Volume
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Mass Production
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腔体数量
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1
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2
-
3
-
4
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搬送Robot
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—
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Atmospheric
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Vacuum
-
Vacuum
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Robot运输方式
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2-Axis
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2-Axis
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3-Axis
-
3-Axis
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Casseete数量
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0
-
2
-
1
-
2
