Vetelgeuse
SPT的牺牲层蚀刻装置通过采用无水HF的蒸汽相工艺，实现了对氧化硅的均匀且无吸附的去除。
应用领域:
- MEMS器件
蚀刻技术
牺牲层蚀刻
采用无水HF实现均匀且无残留的氧化膜去除
功能特性
为何选择SPT的高精度牺牲层蚀刻系统
支持铝兼容的蚀刻工艺
可在包含铝结构的MEMS中去除氧化层，无腐蚀或损伤，特别适用于CMOS兼容设计。
超长悬空蚀刻能力
支持精确的牺牲蚀刻，具备延伸悬空特性，适用于微米级结构与毫米级空腔。
干式清洁、工艺稳定
采用蒸汽相蚀刻，无液体废液，减少设备停机时间，实现低环境负担下的稳定性能输出。
高选择性与工艺控制
实现氧化层与结构层之间的精确选择性与蚀刻深度控制，确保MEMS工艺的重复性与稳定性。
性能表现
支持可靠MEMS释放与结构完整性的高性能系统
SPT的牺牲层蚀刻系统可实现复杂MEMS结构的精确释放与无吸附处理。
无论是红外热电探测器、SOI基振荡器还是悬臂结构，我们的系统均可在高均匀性与高选择性下实现多样化应用支持。
红外热电探测器结构
悬臂结构
SOI晶圆BOX层释放
硅振荡器结构
（SiTime 提供）
技术规格
专为牺牲层蚀刻优化的系统架构
系统采用针对氧化膜牺牲层去除的专用设计，实现稳定的工艺性能与优异的重复性。 通过成熟的腔体结构与蒸汽供应设计，确保蚀刻过程的高度可靠性。
工艺模块
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Vetergeuse
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晶圆尺寸（mm）
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200
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搬送系统
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VPX
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蚀刻速率
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Medium
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基板类型
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SiO2
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应用领域
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MEMS
搬送系统
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VPX
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预期用途
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Small Volume
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腔体数量
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3
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搬送Robot
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Vacuum
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Robot运输方式
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3-Axis
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Casseete数量
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1
