PECVD
SPT的PECVD系统可实现高质量的SiO₂与SiN膜沉积，具备优异的覆盖能力、低应力与高速沉积性能，特别适用于MEMS、TSV与功率器件等应用场景。
PECVD概述
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种广泛应用的薄膜沉积技术，可在低温下实现介电膜的形成。
通过在反应腔体中引入等离子体能量，PECVD实现了出色的膜层一致性、应力控制与高产能。
SPT的PECVD系统专为MEMS、TSV与功率半导体等对均匀性与可靠性要求极高的先进应用而优化。
什么是PECVD？
等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 是一种通过向真空腔体中引入反应性气体并激发等离子体的方式形成薄膜的工艺。
等离子体将气体分子解离，使其在晶圆表面沉积形成薄膜，沉积温度通常低于400°C。
在对热预算敏感的结构 (如MEMS与化合物半导体) 中，PECVD尤为重要，可实现高质量的SiO₂与SiN膜沉积。
CVD工艺类型：PECVD、LPCVD与APCVD
化学气相沉积 (CVD) 根据反应驱动方式的不同，在压力、温度与能量来源方面各异。
以下表格对比了三种常用的CVD工艺——PECVD、LPCVD与APCVD，它们分别适用于不同的半导体制造需求。
| 特性 | PECVD | LPCVD | APCVD |
|---|---|---|---|
| 工艺温度 | 低温 (约150–400°C) | 高温 (约500–800°C) | 中高温 (约400–500°C) |
| 沉积速率 | 中等偏高 | 中等 | 高 |
| 覆盖能力 | 良好 (适合中等深宽比结构) | 极佳 (高步阶覆盖能力) | 一般 (对复杂结构适应性差) |
| 可沉积薄膜类型 | SiO₂、SiN、钝化层、厚氧化层 | SiO₂、SiN、多晶硅 | SiO₂、SiN、掺杂膜 |
| 工艺控制 | 灵活，可通过等离子体参数调节 | 稳定，依赖热反应实现均匀性 | 简单，控制精度较低 |
| 最佳适用领域 | MEMS、TSV、功率器件、化合物半导体 | 逻辑电路、MEMS、图像传感器、先进封装 | 平坦基板上的快速氧化／氮化膜沉积 |
三种CVD工艺的优势解析
- PECVD：在低温下仍能实现优异的薄膜性能，适应灵活的应用需
- LPCVD：具备高度均一性与优异的覆盖性，最适合微细结构
- APCVD：以简洁设计和高通量为特点
- 每种工艺在半导体制造中各有优势，能够满足从MEMS、先进逻辑器件到高性价比绝缘膜沉积等不同需求。
PECVD 采用等离子体能量促进低温化学反应，实现SiO₂与SiN膜的各向一致沉积。
特别适用于对热预算敏感的MEMS、TSV与化合物半导体应用。
SPT的PECVD系统在膜层质量、覆盖能力与应力控制方面表现出色，支持多种基材处理。
LPCVD 通过低压热反应沉积薄膜，在复杂图形结构上实现高度一致的膜层。
广泛应用于MEMS、图像传感器与逻辑器件中的SiO₂、SiN与多晶硅沉积。
虽然沉积速率相对较慢，但在性能与产能之间实现良好平衡。
APCVD 在常压下通过前驱体气体的热分解形成薄膜。
具备高产能与系统设计简单的特点，适合大面积镀膜与成本敏感型应用。
SPT支持Watkins-Johnson (WJ) 原装APCVD系统，并提供原厂认证的性能升级与备件服务。
SPT的PECVD技术
SPT提供基于等离子体与热工艺的CVD系统，满足MEMS、TSV与功率半导体等领域对高质量介电膜沉积的需求。
等离子体增强CVD (PECVD)
SPT的PECVD系统支持低温条件下沉积高质量的SiO₂与SiN膜，具备优异的覆盖能力与低残余应力。
针对MEMS、TSV与化合物半导体等对热预算与膜层性能要求极高的应用进行优化。
系统平台支持从研发到大批量生产，具备良好的稳定性、集成性与产能表现。
为何选择SPT的PECVD系统？
SPT的PECVD系统因其高可靠性、低温性能与沉积精度而广受信赖。
适用于从MEMS与TSV到功率器件的各类半导体应用， 系统可实现膜层均匀、颗粒少、运行稳定，适配研发与量产环境。
