AVP Ace
AVP Ace立式炉系统专为扩散、氧化与LPCVD工艺提供卓越的工艺性能、最低的总体拥有成本 (CoO) 与领先的系统灵活性。
该系统在上一代基础上升级了处理模块，并整合了全新的控制架构，可根据您的工程需求进行定制化配置。
立式炉系统
AVP Ace
最新一代先进／高速立式处理系统，适用于150mm与200mm晶圆
功能特性
卓越的热处理性能与精确温控
AVP Ace支持100°C至1250°C的稳定热处理过程，配备先进的气体喷射系统与低氧装载室，确保工艺结果的一致性与可重复性。
卓越的工艺表现
・ 精确温度控制范围：100–1250°C
・ 高级喷射器技术，实现理想气体分布
・ 低氧装载室，保持受控晶圆环境并确保重复性
・ 使用验证合格的处理模块
极低的总体拥有成本 (CoO)
・ 单舟或双舟配置可选
・ 模块化架构，实现快速安装与启动
・ 双舟配置可消除装片/卸片时间
・ 原位清洁功能可降低多达50%的使用成本
・ 快速升温／冷却选项可缩短多达30%的工艺时间
系统高度灵活性
・ 无需硬件更换即可同时处理两种尺寸晶圆
・ 支持穿孔、键合与超薄基材处理
・ 可选现场转换组件，实现快速应用切换
能力
支持先进半导体应用的多种热处理工艺
AVP Ace支持热氧化、硅氮化物沉积与原子层沉积 (ALD) 等多种工艺，适用于先进半导体制造。
- 湿氧／干氧热氧化
- 自由基氧化
- 化学计量与低应力硅氮化物沉积
- 基于TEOS、SiH₄与DCS的SiO₂沉积
- 掺杂 (P、As、B) 与非掺杂多晶硅沉积
- 原子层沉积 (ALD)
- 回火与固化：100°C至＞1200°C
- ONO堆叠与ALD Al₂O₃沉积
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