AVP/RVP
AVP Ace的上一代机型，具备灵活平台，可执行扩散、氧化与LPCVD等多种热处理工艺。
立式炉系统
AVP/RVP
AVP-8000、AVP-8200、RVP-9000与RVP-9200立式处理系统，适用于150–200mm晶圆
功能特性
适用于成熟批量工艺的多功能平台
传统热处理的关键优势
传统热处理的关键优势
- 先进／高速立式处理平台
- 紧凑型占地，可并排安装
- 低拥有成本
- 单舟或双舟配置可选
- 支持最大200片晶圆批量处理
- 可提供翻新机型 (视可用资源而定)
- 支持灵活基板搬送
- 兼容150mm与200mm晶圆
- 支持穿孔、超薄与弯曲晶圆处理
能力
支持氧化、LPCVD、ALD与退火的高性能处理能力
该平台可实现高质量薄膜沉积，适用于湿氧／干氧、硅氮化物与ALD等关键工艺，支持100–1200°C热处理，兼容传统与先进应用。
- 湿氧／干氧热氧化
- 自由基氧化
- 化学计量与低应力硅氮化物沉积
- 基于TEOS、SiH₄与DCS的SiO₂沉积
- 掺杂 (P、As、B) 与非掺杂多晶硅沉积
- 原子层沉积 (ALD)
- 回火与固化：100°C至＞1200°C
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