RVP Ace
RVP Ace立式炉系统是一款高度灵活的平台，适用于200mm与300mm晶圆的扩散、氧化与LPCVD工艺。
具备行业领先的生产效率与低拥有成本 (CoO) 。 该系统在前代处理模块基础上进一步升级，并整合了全新的控制架构，可针对具体工程需求进行优化配置。
立式炉系统
RVP Ace
最新一代高速立式处理系统，适用于200mm与300mm晶圆
功能特性
高产能热处理与晶圆尺寸灵活性
RVP Ace支持高产能热处理，温控范围精确覆盖100°C至1200°C。 优化的气流设计与低氧负载锁，确保200mm与300mm晶圆处理的一致性与可重复性。
工艺灵活性
・ 可同时处理200mm与300mm晶圆，无需更换硬件
・ 兼容键合、超薄与翘曲晶圆
・ 先进的横流腔体设计，提升工艺控制精度
・ 使用量产验证合格的处理模块
低拥有成本 (CoO)
・ 模块化架构，快速安装与启动
・ 自动化可靠性进一步提升
・ 校准与预防性维护需求最小化
・ 双舟配置消除装片／卸片时间
・ 原位清洁功能可降低多达50%的运营成本
・ 快速升温／冷却选项可缩短多达30%的工艺时间
能力
支持先进半导体应用的多种热处理工艺
RVP Ace适用于热氧化、硅氮化物沉积与ALD等工艺，在200mm与300mm晶圆的批量处理中提供稳定且可重复的结果。
- 湿氧／干氧热氧化
- 自由基氧化
- 化学计量与低应力硅氮化物沉积
- 基于TEOS、SiH₄与DCS的SiO₂沉积
- 掺杂 (P、As、B) 与非掺杂多晶硅沉积
- 原子层沉积 (ALD)
- 回火与固化：100°C至＞1200°C
- ONO堆叠与ALD Al₂O₃沉积
