LED器件
面向MicroLED与激光器件的高精度蚀刻与PECVD解决方案
MicroLED与激光器件：引领下一代显示与光学技术
MicroLED与基于GaN的激光器件正处于高性能显示与光学系统的前沿。这些器件具有卓越的亮度、能效与形态灵活性，广泛应用于AR/VR、智能手机、汽车与生物医疗等多个领域。
随着器件不断小型化，集成密度持续提升，制造商在GaN、蓝宝石等复杂材料上需实现更高的良率、精度与表面完整性，所面临的工艺挑战也愈发严峻。
MicroLED与激光器件制造的关键挑战
高质量的microLED与GaN激光器件制造需应对多项关键工艺难题：
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- GaN层蚀刻：
- GaN具有化学稳定性，精密蚀刻难度高。需严格控制侧壁角度、选择性与表面损伤，以保障电性与良率。
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- 蓝宝石基板加工：
- 蓝宝石晶圆机械强度高，加工需避免裂纹与层间剥离。平滑表面与低缺陷率为核心指标。
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- 薄膜均匀性：
- 介质膜与钝化膜需在微小密集区域上实现厚度一致，需依赖高阶PECVD工艺控制。
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- 结构易损伤：
- 随着器件尺寸缩小，任何由工艺引起的粗糙或等离子损伤都可能导致性能大幅下降或器件早期失效。
SPT在LED制造中的蚀刻与沉积解决方案
SPT提供专为高精度LED器件制造设计的干法蚀刻与低温PECVD技术。
1. 蚀刻解决方案
- 高选择性蚀刻GaN与AlGaN层
- 精准各向异性控制，适用于深沟与台面结构
- 最小化表面损伤，提升良率与可靠性
- 蓝宝石基板加工具备优异的均匀性
2. PECVD解决方案
- 在GaN与蓝宝石基板上均匀沉积高质量SiO₂与SiNₓ
- 出色的微结构覆盖性
- 低温工艺，适用于热敏感LED基板
