
MEMS器件
面向先进MEMS结构的高精度蚀刻与沉积技术
MEMS应用与行业趋势
微机电系统(MEMS)是当今智能技术的重要组成部分,广泛应用于智能手机,汽车传感器,医疗诊断,工业自动化以及射频系统等领域。
随着MEMS器件日益小型化、复杂化及多功能集成,制造商面临越来越高的工艺精度与多材料表面洁净度要求。
SPT通过先进的蚀刻、沉积与热处理设备,满足 MEMS 在精细结构制造与大规模量产中的创新需求。
MEMS制造的主要挑战
MEMS制造通常涉及复杂的多层结构,包含深腔、薄膜与牺牲层等。主要技术挑战包括:
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- 深硅刻蚀的高深宽比控制:
- MEMS结构通常需要超过100 μm的深度,同时保持垂直侧壁与精确轮廓。
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- 薄膜应力控制:
- PECVD或LPCVD沉积的薄膜需具备低残余应力、优异的覆盖性与均匀性,以确保器件可靠性。
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- 多层对准与集成:
- 随着MEMS设计更具功能性,精确控制结构层与牺牲层的沉积与去除成为关键。
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- 表面质量与一致性:
- 光滑的蚀刻表面、最小化的底部扩宽(footing)或缺口(notching)、以及晶圆批次间的一致性,是实现高良率的关键。
面向MEMS制造的蚀刻与沉积解决方案
SPT提供专为MEMS制造优化的设备组合,支持稳定、可扩展且高精度的蚀刻与沉积工艺。
1. 深硅刻蚀(Si DRIE)
- 高深宽比蚀刻,轮廓失真极小
- 出色的侧壁形貌控制与低侧蚀,适用于深腔结构
- 典型应用:麦克风、压力传感器、惯性 MEMS 器件
2. 用于应力敏感薄膜的PECVD
- 精确调控SiO₂与SiNₓ膜的应力
- 低温沉积工艺,具备优异的阶梯覆盖性
- 典型应用:MEMS 结构层与钝化层沉积
与SPT共探MEMS工艺流程
SPT支持MEMS工艺流程中的每一个关键步骤,从深结构蚀刻到高质量介电膜的形成。