Vetelgeuse
SPTの犠牲層エッチング装置は、無水HFを用いた蒸気相プロセスにより、酸化シリコンの均一かつ吸着のない除去を実現します。
高い選択性と安定したプロセス制御により、微細かつ複雑な構造においても信頼性の高い加工をサポートします。
アプリケーション:
- MEMSデバイス
エッチング
無水HFを用いた均一で固着レスな酸化膜除去
SPTの犠牲層エッチング装置は、無水HFを用いた蒸気相プロセスにより、酸化シリコンの均一かつ吸着のない除去を実現します。
高い選択性と安定したプロセス制御により、微細かつ複雑な構造においても信頼性の高い加工をサポートします。
特長
アルミニウム構造を含むデバイスでも腐食やダメージを生じさせず、酸化膜の選択的除去が可能。
マイクロ構造からミリサイズキャビティまで対応可能なアンダーカット長を実現。
液体廃液を発生させず、装置のダウンタイムを最小限に抑えながら、安定した処理を提供。環境負荷も低減。
酸化膜と構造層の選択性を精密に制御し、高い再現性のプロセスを実現。
性能
SPTの犠牲層エッチング装置は、複雑な構造体における精密かつ吸着のない除去を実現し、構造の変形や破損を防ぎます。
高い均一性と選択性により、多様な応用分野に対応します。
赤外線ボロメータ構造
カンチレバー構造
SOIウェーハBOX層リリース
シリコンオシレータ構造
(提供:SiTime)
仕様
酸化膜の犠牲層除去に最適化された専用設計により、安定したプロセス性能と優れた再現性を実現します。実績あるチャンバー構造と蒸気供給設計により、信頼性の高いエッチングを提供します。
Vetelgeuse
ウェーハサイズ (mm)
200
プラットフォーム
VPX
エッチングスピード
中
基板
SiO2
アプリケーション
MEMS
VPX
用途
小ボリューム
チャンバー数
3
搬送ロボット
真空
ロボット・モーション
3-Axis
カセット数
1