SPPテクノロジーズ

エッチング

犠牲層エッチング

無水HFを用いた均一で固着レスな酸化膜除去

Vetelgeuse

SPTの犠牲層エッチング装置は、無水HFを用いた蒸気相プロセスにより、酸化シリコンの均一かつ吸着のない除去を実現します。
高い選択性と安定したプロセス制御により、微細かつ複雑な構造においても信頼性の高い加工をサポートします。

アプリケーション:

  • MEMSデバイス

特長

SPTの精密な犠牲層エッチングが選ばれる理由

アルミ対応の酸化膜除去

アルミニウム構造を含むデバイスでも腐食やダメージを生じさせず、酸化膜の選択的除去が可能。

広がりのあるアンダーカット形成

マイクロ構造からミリサイズキャビティまで対応可能なアンダーカット長を実現。

安定したクリーンなドライプロセス

液体廃液を発生させず、装置のダウンタイムを最小限に抑えながら、安定した処理を提供。環境負荷も低減。

高い選択性とプロセス制御

酸化膜と構造層の選択性を精密に制御し、高い再現性のプロセスを実現。

性能

構造信頼性と安定したリリース性能

SPTの犠牲層エッチング装置は、複雑な構造体における精密かつ吸着のない除去を実現し、構造の変形や破損を防ぎます。
高い均一性と選択性により、多様な応用分野に対応します。

赤外線ボロメータ構造

カンチレバー構造

SOIウェーハBOX層リリース

シリコンオシレータ構造

(提供:SiTime)

仕様

犠牲層エッチングに特化した専用構成

酸化膜の犠牲層除去に最適化された専用設計により、安定したプロセス性能と優れた再現性を実現します。実績あるチャンバー構造と蒸気供給設計により、信頼性の高いエッチングを提供します。

プロセスモジュール

  • Vetelgeuse

  • ウェーハサイズ (mm)

  • 200

  • プラットフォーム

  • VPX

  • エッチングスピード

  • 基板

  • SiO2

  • アプリケーション

  • MEMS

プラットフォーム

  • VPX

  • 用途

  • 小ボリューム

  • チャンバー数

  • 3

  • 搬送ロボット

  • 真空

  • ロボット・モーション

  • 3-Axis

  • カセット数

  • 1

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