SPPテクノロジーズ

PECVD

PECVD

SPTのPECVD装置は、最先端のMEMSや半導体用途において、厚膜酸化膜および低応力SiNの安定した成膜を実現するよう設計されています。

Cetus, Capella

SPTのPECVD (プラズマ励起化学気相成長) システムは、シリコン酸化膜および窒化膜の高品質成膜を実現します。低ストレスかつ優れた膜厚均一性、ステップカバレッジにより、MEMSから光学コーティング、パッシベーション膜まで幅広い厚さレンジに対応可能です。

アプリケーション:

  • MEMSデバイス
  • インクジェットヘッド
  • TSV
  • パワーデバイス
  • LED
  • 光学デバイス
  • RFデバイス (高周波デバイス)

特長

SPTの高精度なPECVDが選ばれる理由

高速、そしてクラックレスな酸化膜成膜

MEMSや光導波路用途向けに、厚膜SiO₂を高速かつボイド・クラックなく成膜できます。

TSV構造に適した優れたステップカバレッジ

高アスペクト比・狭幅TSV構造に対しても、低温で高い被覆性を持つ酸化膜の成膜が可能です。

水素含有量の少ない高品質SiN膜

化合物半導体のパッシベーションに適した、緻密かつ低水素SiN膜を提供します。

MEMS膜構造に適した低応力SiN

超低ストレスかつ高い均一性を持つSiN膜は、MEMS膜応用にも最適です。

研究開発から量産まで対応するスケーラブルなプラットフォーム

真空ロードロック型・クラスター型構成に対応し、幅広い製造ニーズにお応えします。

性能

厚膜酸化膜から低応力SiNまで──結果が語る信頼性

SPTのPECVD装置は、MEMSやTSV構造のような高要求プロセスにおいても、厚膜酸化膜・低ストレスSiN・高密着な成膜性能を安定して提供します。
信頼性とプロセス制御に優れた結果を獲得できます。

TSV構造におけるボイドレス酸化膜充填

厚膜シリコン酸化膜の成膜

低ストレスSiN成膜

(提供:ケンブリッジ大学)

アルミ配線上への酸化膜コンフォーマル成膜

仕様

用途やプロセスに応じて柔軟に構成できるPECVDシステムアーキテクチャ

SPTのPECVDシステムは、膜厚・材料・デバイス要件の多様化に対応する柔軟な構成が可能です。研究開発から量産まで、酸化膜・窒化膜ともに安定した成膜性能を発揮します。

プロセスモジュール

  • Cetus

  • Capella

  • ウェーハサイズ (mm)

  • 200

  • 200

  • プラットフォーム

  • APX, DPX, VPX, CPX

  • APX, DPX, VPX, CPX

  • プロセス温度

  • Moderate

  • ≤100°C

  • 成膜可能材料

  • SiO2, SiN, SiON, SiC

  • SiO2, SiN

プラットフォーム

  • APX

  • DPX

  • VPX

  • CPX

  • 用途

  • R&D

  • Prototype

  • Small Volume

  • Mass Production

  • チャンバー数

  • 1

  • 2

  • 3

  • 4

  • 搬送ロボット

  • Atmospheric

  • Vacuum

  • Vacuum

  • ロボット・モーション

  • 2-Axis

  • 2-Axis

  • 3-Axis

  • 3-Axis

  • カセット数

  • 0

  • 2

  • 1

  • 2

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