Predeus, Proxion
SPTのSi DRIEシステム (Predeus、Proxion) は、深掘り構造に求められるアスペクト比・エッチング精度・再現性を高い水準で実現します。
プロファイル制御や膜厚均一性に優れ、幅広い応用領域において信頼性の高いシリコンエッチングを支えます。
アプリケーション：
- インクジェットプリンタヘッド
- TSV
- パワーデバイス
- 光学デバイス
エッチング
Si DRIE
異方性・均一性に優れたシリコン深掘りエッチングのための高精度Si DRIE装置
特長
SPTのSi DRIEが選ばれる理由
優れたエッチングレートと選択性
高い垂直性、低サイドウォール粗さ、CDロスの最小化を維持しながら、業界トップクラスのエッチング速度と選択性を実現。
多様なプロファイルに対応する豊富なプロセスライブラリ
豊富なレシピ群により、深掘りエッチング形状の幅広いニーズに対応。迅速なレシピ開発と安定した結果を可能にします。
多様な先端デバイス構造に対応
パワーMOSFET、200mm／300mmウェーハ上のTSV形成、その他高アスペクト比構造を要するデバイスに対応可能。
研究開発から量産まで対応する柔軟なシステム構成
真空ロードロック型からクラスター型まで、導入規模に応じた柔軟なプラットフォームをご用意しています。
性能
高アスペクト比、高速加工、TSV形成に応えるSi DRIE性能
SPTのSi DRIEシステムは、さまざまな深掘り構造に対して卓越したエッチング性能を発揮します。
アスペクト比の高い構造の加工、垂直な側壁形成、高速なエッチング、TSVの精密形成など、先端用途に求められる均一性とプロセス制御を提供します。
高アスペクト比エッチング
円柱形状構造
高速エッチング
TSVエッチング
仕様
柔軟にカスタマイズ可能なSi DRIE装置構成
SPTのSi DRIE装置は、モジュール構成による優れたカスタマイズ性を備えています。お客様の製造ニーズに応じて、プロセスモジュールや装置プラットフォームを自在に組み合わせることが可能です。研究開発から量産ラインまで、さまざまな用途に柔軟に対応します。
プロセスモジュール
-
Predeus
-
Proxion
-
ウェーハサイズ (mm)
-
200
-
200
-
プラットフォーム
-
APX, DPX, VPX, CPX
-
APX, DPX, VPX, CPX
-
エッチングスピード
-
Moderate
-
High
-
基板
-
Si
-
Si
-
アプリケーション
-
MEMS Gyroscope, MEMS Accelerometer
-
MEMS Microphone, Inkjet Printhead Manufacturing
プラットフォーム
-
APX
-
DPX
-
VPX
-
CPX
-
用途
-
R&D
-
プロトタイプ
-
小ボリューム
-
量産
-
チャンバー数
-
1
-
2
-
3
-
4
-
搬送ロボット
-
—
-
大気
-
真空
-
真空
-
ロボット・モーション
-
2-Axis
-
2-Axis
-
3-Axis
-
3-Axis
-
カセット数
-
0
-
2
-
1
-
2
