Predeus, Proxion
SPT提供两款Si DRIE系统——Predeus与Proxion——专为实现高深宽比深硅蚀刻而设计。两款平台均具备稳定、可重复的工艺性能，具备优异的均匀性与工艺控制，广泛适用于MEMS与先进封装应用。
应用领域:
- MEMS器件
- 喷墨打印头
- 硅通孔 (TSV)
- 功率半导体器件
- 光学器件
蚀刻技术
Si DRIE
适用于深硅蚀刻的高精度Si DRIE系统，具备出色的各向异性与均匀性。专为MEMS、电力器件与先进半导体应用而设计。
功能特性
为何选择SPT高精度Si DRIE系统
业界领先的蚀刻速率与选择性
在保持垂直轮廓、侧壁光滑与最小CD损耗的前提下，SPT的Si DRIE系统实现业界领先水平的蚀刻速率与高选择性。
丰富的工艺库，支持多种蚀刻轮廓
系统配备广泛的深硅蚀刻工艺库，支持快速配方开发与高重复性生产。
兼容先进半导体应用
理想适用于功率MOSFET、200mm与300mm晶圆上的TSV形成，以及其他需要深度高深宽比结构的先进器件架构。
灵活系统配置，适配从研发到量产
从真空LoadLock系统到全自动集群系统，SPT提供可扩展平台，支持研发与大批量Si DRIE制造。
性能表现
高深宽比、高速蚀刻与TSV形成的卓越性能
SPT的Si DRIE系统在多种结构中展现出卓越的深硅蚀刻性能。 无论是追求高深宽比、垂直侧壁、快速蚀刻速率，还是精准TSV形成，SPT平台均能提供所需的均匀性与工艺控制，满足先进半导体应用需求。
高深宽比蚀刻
圆柱结构蚀刻
高速蚀刻
硅通孔 (TSV) 蚀刻
技术规格
灵活的Si DRIE系统架构：定制您的工艺模组与平台
SPT的Si DRIE系统通过模块化设计实现前所未有的灵活配置。 用户可根据具体生产需求选择合适的工艺模组与系统平台——无论是MEMS研发还是大批量TSV制造。
工艺模组
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Predeus
-
Proxion
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晶圆尺寸（mm）
-
200
-
200
-
搬送系统
-
APX, DPX, VPX, CPX
-
APX, DPX, VPX, CPX
-
蚀刻速率
-
Moderate
-
High
-
基板类型
-
Si
-
Si
-
应用领域
-
MEMS Gyroscope, MEMS Accelerometer
-
MEMS Microphone, Inkjet Printhead Manufacturing
搬送系统
-
APX
-
DPX
-
VPX
-
CPX
-
预期用途
-
R&D
-
Prototype
-
Small Volume
-
Mass Production
-
腔体数量
-
1
-
2
-
3
-
4
-
搬送Robot
-
—
-
Atmospheric
-
Vacuum
-
Vacuum
-
Robot运输方式
-
2-Axis
-
2-Axis
-
3-Axis
-
3-Axis
-
Casseete数量
-
0
-
2
-
1
-
2
